.::Меню::.
Последгие новости из мира электроники и радиотехники Новости
основы электротехники, начинаюшему радиолюбителю, начинающему электронику, начинающему радиотехнику Начинающим
Радиолюбителбские схемы, конструкции, и многое другое.., здесь есть то что Вы ищете Схемы
Радиолюбителбские программы, осцилографы, калькуляторы и многое другое Программы
Справочная информация о диодах, транзисторах, резисторах, тиристоров и т. д. Справочник
Анекдоты, конкурсы, игры и многое другое Развлечения
Всё о великих людях Попов, Эдисон и др. Знаете ли Вы?
Форум где Вы можете задать любой вопрос, посоветоваться оставить свои объявления и многое другое Форум
Радиолюбительские книги Книги
Радиолюбительские Журналы Журналы
О сайте О сайте
Радиолюбителбские программы, осцилографы, калькуляторы и многое другое Разное
Гостевая книга Гостевая
Главная страница На главную

.::Реклама::.
web хостинг
Разместить рекламу

.::Связь::.
Pochta
ICQ: 619441104

.::Разное::.
При использовании материала с данного сайта ссылка на сайт RadioPartal.tut.su и первоисточник обязательна!!!

.::Статистика::.
RadioPartal TOP
Анализ сайта
.::RadioPartal::.


Урок 4

[Урок 3]

Ну а теперь рассмотрим Полупроводники:

Полупроводник

        — материал, электрические свойства которого в сильной степени зависят от концентрации в нём химических примесей и внешних условий (температура, излучение и пр.).

Типы полупроводников в периодической системе элементов

         В нижеследующей таблице представлена информация о большом количестве полупроводниковых соединений. Их делят на несколько типов: одноэлементные полупроводники IV группы периодической системы элементов, сложные: двухэлементные AIIIBV и AIIBVI из третьей и пятой группы и из второй и шестой группы элементов соответственно. Все типы полупроводников обладают интересной зависимостью ширины запрещённой зоны от периода, а именно — с увеличением периода ширина запрещённой зоны уменьшается.

Физические свойства и применения

         Прежде всего следует сказать, что физические свойства полупроводников наиболее изучены по сравнению с металлами и диэлектриками. В немалой степени этому способствует огромное количество эффектов, которые не могут быть наблюдаемы ни в тех ни в других веществах, прежде всего связанные с устройством зонной структуры полупроводников, и наличием достаточно узкой запрещённой зоны. Конечно же основным стимулом для изучения полупроводников является технология производства интегральных микросхем — это в первую очередь относится к кремнию, но затрагивает другие соединения (Ge, GaAs, InSb) как возможные заменители. Кремний — непрямозонный полупроводник, поэтому очень трудно заставить его работать в оптических устройствах, и здесь вне конкуренции соединения типа AIIIBV, среди которых можно выделить GaAs, GaN, которые используются в светодиодах. Собственный полупроводник при температуре абсолютного ноля не имеет свободных носителей в зоне проводимости в отличие от проводников и ведёт себя как диэлектрик. При легировании ситуация может поменяться. См. вырожденные полупроводники. В связи с тем, что технологи могут получать очень чистые вещества встаёт вопрос о новом эталоне для числа Авогадро.

Легирование

         Объёмные свойства полупроводника могут сильно зависеть от наличия дефектов в кристаллической структуре. И поэтому стремятся выращивать очень чистые вещества, в основном для электронной промышленности. Легирующие примеси вводят для управления типом проводимости проводника. Например широко распространённый кремний можно легировать элементом V подгруппы периодической системы элементов — фосфором, который является донором, и создать n-Si. Для получения кремния с дырочным типом проводимости (p-Si) используют бор (акцептор).

Методы получения

         Свойства полупроводников зависят от способа получения, так как различные примеси в процессе роста могут изменить их. Наиболее дешёвый способ промышленного получения монокристаллического технологического кремния — метод Чохральского. Для очистки технологического кремния используют также метод зонной плавки. Для получения монокристаллов полупроводников используют различные методы физического и химического осаждения. Наиболее прецизионный и дорогой инструмент в руках технологов для роста монокристаллических плёнок — установки молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющей выращивать кристалл с точностью до монослоя.

Полупроводники

алмаз, C
кремний, Si
германий
серое олово, a-Sn
нитрид бора, BN
нитрид алюминия, AlN
фосфид алюминия, AlP
арсенид алюминия, AlAs
нитрид галлия, GaN
фосфид галлия, GaP
арсенид галлия, GaAs
стибат галлия, GaSb
фосфид индия, InP
арсенид индия, InAs
антимонид индия, InSb
селенид цинка, ZnSe
селенид кадмия, CdSe
теллурид кадмия, CdTe
теллурид цинка, ZnTe
теллурид ртути, HgTe
оксид цинка, ZnO
сульфид свинца, PbS
теллурид свинца, PbTe
теллурид олова, SnTe
органические полупроводники

Источник: Википедия
Если Вы не устали пойдём дальше!
[Урок 5]
полупроводники 1815 физика полупроводников завод полупроводников институт полупроводников изменение электрофизических свойств полупроводников полупроводники собственные прямозонный полупроводник
.:: Copyright © 2008 "RadioPartal"::.